MOSFET Infineon, canale N 100 V, 4 mΩ Miglioramento, 190 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IRFS4010TRL7PP

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0998
Codice costruttore:
IRFS4010TRL7PP
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

190A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


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