MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4 mΩ Miglioramento, 190 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IRFS4010TRL7PP

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0998
Codice costruttore:
IRFS4010TRL7PP
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

190A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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