MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0998
Codice costruttore:: IRFS4010TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
2 - 18	3,815 €	7,63 €
20 - 48	3,44 €	6,88 €
50 - 98	3,205 €	6,41 €
100 - 198	2,975 €	5,95 €
200 +	1,645 €	3,29 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 130-0998
Codice costruttore:: IRFS4010TRL7PP
Costruttore:: Infineon

IRFS4010-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	190 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	D2PAK-7
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Larghezza	9.65mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	4.83mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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