MOSFET Infineon, canale Tipo N 319 V, 3.9 mΩ, 190 A, 16 Pin, TO-263 IPTC039N15NM5ATMA1
- Codice RS:
- 260-2670
- Codice costruttore:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
7,64 €
(IVA esclusa)
9,32 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 50 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,64 € |
| 10 - 24 | 6,88 € |
| 25 - 49 | 6,43 € |
| 50 - 99 | 6,05 € |
| 100 + | 5,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-2670
- Codice costruttore:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 190A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 319V | |
| Serie | IPT | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Numero pin | 16 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.9mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 0.81V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 319W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 74nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.3 mm | |
| Altezza | 2.35mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 190A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 319V | ||
Serie IPT | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Numero pin 16 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.9mΩ | ||
Tensione diretta Vf 0.81V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 319W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 74nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.3 mm | ||
Altezza 2.35mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon fornisce un contenitore di raffreddamento per prestazioni termiche superiori con un contenitore innovativo combinato con le caratteristiche principali della tecnologia che consente i prodotti migliori della categoria, nonché correnti nominali elevate per progetti ad alta densità di potenza.
Maggiore efficienza del sistema che consente una maggiore durata della batteria
Elevata densità di potenza
Prestazioni termiche superiori
Risparmio nel sistema di raffreddamento
Link consigliati
- MOSFET Infineon 3.9 mΩ 16 Pin, TO-263
- MOSFET Infineon 4.1 mΩ 7 Pin Superficie
- MOSFET e diodo Infineon 190 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 4.1 mΩ 7 Pin Superficie IRLS4030TRL7PP
- MOSFET e diodo Infineon 190 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB65R190CFDAATMA1
- MOSFET Infineon 4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.15 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IRFS4010TRL7PP
