MOSFET Infineon, canale Tipo N 319 V, 3.9 mΩ, 190 A, 16 Pin, TO-263

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*

7441,20 €

(IVA esclusa)

9077,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 07 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1800 +4,134 €7.441,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-2669
Codice costruttore:
IPTC039N15NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

190A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

319V

Serie

IPT

Tipo di package

TO-263

Numero pin

16

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.81V

Dissipazione di potenza massima Pd

319W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.35mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Larghezza

10.3 mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon fornisce un contenitore di raffreddamento per prestazioni termiche superiori con un contenitore innovativo combinato con le caratteristiche principali della tecnologia che consente i prodotti migliori della categoria, nonché correnti nominali elevate per progetti ad alta densità di potenza.

Maggiore efficienza del sistema che consente una maggiore durata della batteria

Elevata densità di potenza

Prestazioni termiche superiori

Risparmio nel sistema di raffreddamento

Link consigliati