MOSFET Infineon, canale N 150 V, 3.9 mΩ, 190 A, 8 Pin, TOLG, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1800 unità*

5893,20 €

(IVA esclusa)

7189,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1800 +3,274 €5.893,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-2673
Codice costruttore:
IPTG039N15NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

190A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

IPT

Tipo di package

TOLG

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

319W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Tensione diretta Vf

810mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon viene fornito in un contenitore con cavo TO migliorato con cavi gullwing con un ingombro compatibile con TO senza cavo che consente eccellenti prestazioni elettriche. Si tratta di una tecnologia migliore della categoria con un'elevata corrente nominale.

Capacità di prestazioni elevate

Elevata affidabilità del sistema

Elevata efficienza e EMI ridotte

Utilizzo ottimizzato della scheda

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.