MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.9 mΩ, 120 A, TO-252, Superficie IRFR7446TRPBF
- Codice RS:
- 257-5883
- Codice costruttore:
- IRFR7446TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,994 € | 4,97 € |
| 50 - 120 | 0,906 € | 4,53 € |
| 125 - 245 | 0,846 € | 4,23 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5883
- Codice costruttore:
- IRFR7446TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.9mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 65nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 98W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.9mΩ | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 98W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon migliora la robustezza di gate, valanga e dinamica dV/dt ed è utilizzato per interruttori di potenza OR-ing e ridondanti e convertitori c.c./c.c. e c.a./c.c., inverter c.c./c.c.
Capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga
Diodo del corpo con capacità dv/dt e dI/dt potenziata
Senza piombo
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