MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 11.1 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
214-4389
Codice costruttore:
IPD70N12S311ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS-T

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.42mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS è adatto per applicazioni automobilistiche ed è testato al 100% con effetto valanga.

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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