MOSFET Infineon, canale N 120 V, 11.1 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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2500 +0,901 €2.252,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4389
Codice costruttore:
IPD70N12S311ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS-T

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Larghezza

6.42mm

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET Infineon OptiMOS è adatto per applicazioni automobilistiche ed è testato al 100% con effetto valanga.

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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