MOSFET Infineon, canale N 120 V, 15 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N12S3L15ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9038
Codice costruttore:
IPD50N12S3L15ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Altezza

2.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I prodotti Infineon OptiMOS-T sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

È certificato AEC Q101 per il settore automobilistico

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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