MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD038N06NF2SATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,54 €

(IVA esclusa)

9,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,754 €7,54 €
100 - 2400,716 €7,16 €
250 - 4900,686 €6,86 €
500 - 9900,656 €6,56 €
1000 +0,415 €4,15 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-5867
Codice costruttore:
IPD038N06NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza a canale N Infineon è ottimizzato per un'ampia gamma di applicazioni ed è testato al 100% a valanga.

Placcatura del cavo senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Link consigliati