MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 139 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD028N06NF2SATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

14,98 €

(IVA esclusa)

18,275 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1940 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,996 €14,98 €
50 - 1202,486 €12,43 €
125 - 2452,306 €11,53 €
250 - 4952,156 €10,78 €
500 +1,652 €8,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-5863
Codice costruttore:
IPD028N06NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

139A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza a canale N Infineon è ottimizzato per un'ampia gamma di applicazioni ed è testato al 100% a valanga.

Placcatura del cavo senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.