MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 139 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

1234,00 €

(IVA esclusa)

1506,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 09 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +0,617 €1.234,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
262-5862
Codice costruttore:
IPD028N06NF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

139A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza a canale N Infineon è ottimizzato per un'ampia gamma di applicazioni ed è testato al 100% a valanga.

Placcatura del cavo senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Link consigliati