MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo P 40 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70P04P4L08ATMA2
- Codice RS:
- 220-7410
- Codice costruttore:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 220-7410
- Codice costruttore:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 71nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.41mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET e diodo Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 70 A - IPD70P04P4L08ATMA2
Questo MOSFET e diodo è un dispositivo di potenziamento a canale P che integra un diodo di recupero rapido per la commutazione di potenza in ambienti automobilistici e industriali. È progettato per applicazioni a montaggio superficiale e funziona su un ampio intervallo di temperatura per cicli di lavoro impegnativi.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione massima di drenaggio e sorgente di 40 V consente la commutazione a media tensione
• Rds(on) di 7,8 mΩ riduce le perdite di conduzione in caso di corrente elevata
• La corrente di drenaggio continua di 70 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La dissipazione di potenza massima di 75 W consente un'erogazione di potenza sostenuta
• La carica gate tipica di 71 nC riduce al minimo le perdite di energia di commutazione
• La qualifica AEC‐Q101 soddisfa gli standard di sollecitazione dei componenti automobilistici
• Rds(on) di 7,8 mΩ riduce le perdite di conduzione in caso di corrente elevata
• La corrente di drenaggio continua di 70 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La dissipazione di potenza massima di 75 W consente un'erogazione di potenza sostenuta
• La carica gate tipica di 71 nC riduce al minimo le perdite di energia di commutazione
• La qualifica AEC‐Q101 soddisfa gli standard di sollecitazione dei componenti automobilistici
Applicazioni
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per i convertitori CC-CC nell'elettronica dei veicoli
• Utilizzato con le fasi di azionamento del motore che richiedono un diodo di recupero rapido
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico nei sistemi di gestione della batteria
• Adatto per stadi di potenza ad alta corrente su schede a montaggio superficiale
• Ideale per i convertitori CC-CC nell'elettronica dei veicoli
• Utilizzato con le fasi di azionamento del motore che richiedono un diodo di recupero rapido
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico nei sistemi di gestione della batteria
• Adatto per stadi di potenza ad alta corrente su schede a montaggio superficiale
Quale intervallo di tensione gate è accettabile per il controllo?
La tensione massima gate-source è di 5 V e il dispositivo è progettato per l'azionamento gate a bassa tensione.
Quali estremi termici può tollerare il dispositivo?
È specificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C per un ampio margine termico.
Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?
Il componente è fornito in un contenitore TO‐252 destinato al montaggio superficiale.
Quanti pin sono disponibili per il collegamento a circuito stampato?
È dotato di tre pin elettrici per i collegamenti di scarico, sorgente e gate.
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