MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90P03P4L04ATMA2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,53 €

(IVA esclusa)

16,51 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4710 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,706 €13,53 €
50 - 1202,41 €12,05 €
125 - 2452,248 €11,24 €
250 - 4952,112 €10,56 €
500 +1,95 €9,75 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7416
Codice costruttore:
IPD90P03P4L04ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

125nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

137W

Tensione diretta Vf

-1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET e diodo Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 90 A - IPD90P03P4L04ATMA2


Questo MOSFET e diodo è un dispositivo di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in ambienti automobilistici e di conversione di potenza. Integra un diodo corpo e funziona come transistor a canale P in modalità di potenziamento, offrendo l'idoneità per sistemi che richiedono una bassa resistenza all'accensione e una robusta resistenza termica in un intervallo di temperatura esteso.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di dissipazione di 30 V consente la progettazione di stadi di potenza a bassa tensione
• Rds(on) di 4,1 mΩ riduce le perdite di conduzione durante le correnti pesanti
• La capacità di scarico continuo di 90 A supporta le applicazioni ad alta corrente
• La dissipazione di potenza 137 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 125 nC garantisce un comportamento di commutazione prevedibile

Applicazioni


• Adatto per gli stadi di potenza dei convertitori CC-CC per uso automobilistico
• Ideale per circuiti di rettifica sincrona ad alta corrente
• Utilizzato con guide di alimentazione a bassa tensione con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione

Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?


È fornito in un contenitore TO-252 ed è destinato al montaggio superficiale.

Come si comporta a temperature estreme?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C per un'ampia diffusione di temperature.

Qual è il limite di tensione di gate e le implicazioni di commutazione?


La tensione massima gate-sorgente è di 5 V, che definisce l'ampiezza di azionamento gate consentita e influisce sul margine di commutazione.

Qual è la caratteristica di tensione diretta del diodo integrato?


Il diodo corpo ha una tensione diretta di -1,3 V misurata in condizioni specifiche.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.