Transistor di potenza Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
753-3033
Codice costruttore:
IPD90P03P4L04ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

125nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

137W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™


I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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