MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, -90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3868
Codice costruttore:
IPD90P04P405ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Tensione diretta Vf

-1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima drain-source 40 V, dissipazione di potenza massima 125 W - IPD90P04P405ATMA2


Questo MOSFET è un transistor a canale P in modalità di potenziamento progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni ad alta corrente in cui è richiesta una bassa resistenza all'accensione e una robusta gestione del gate. Il dispositivo soddisfa gli standard di affidabilità automobilistica e le direttive ambientali per l'uso in settori regolamentati.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 4.7 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 90 A supporta carichi di commutazione ad alta corrente
• La carica di gate tipica di 118 nC consente prestazioni di commutazione prevedibili
• La tolleranza massima gate-source di 20 V consente margini di azionamento gate flessibili
• La dissipazione di potenza di 125 W gestisce l'elevata potenza in assemblaggi compatti

Applicazioni


• Adatto per fasi di distribuzione dell'alimentazione CC ad alta corrente
• Ideale per i moduli di alimentazione automobilistici in base ai requisiti AEC‐Q101
• Utilizzato con dissipatore di calore compatto in progetti di alimentazione a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la commutazione sincrona nei convertitori di potenza

Quale intervallo di temperatura può resistere al funzionamento?


Funziona da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ampi ambienti termici.

In che modo la scelta del pacchetto influisce sull'assemblaggio?


Il contenitore TO-252 facilita il posizionamento a montaggio superficiale e la conduzione termica agli attacchi del circuito stampato.

Quali standard e direttive ha soddisfatto?


È conforme alla norma DIN IEC 68-1 ed è conforme alla direttiva RoHS come indicato nelle specifiche.

Quali sono le caratteristiche del canale che determinano il comportamento di commutazione?


Il dispositivo è in modalità di potenziamento di tipo P, che definisce la polarità e il comportamento di conduzione guidato dal gate.

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