MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 4.30 mΩ Miglioramento, -90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90P04P4L04ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3871
Codice costruttore:
IPD90P04P4L04ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

135nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima drain-source di -40 V, dissipazione di potenza massima di 125 W - IPD90P04P4L04ATMA2


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione e il controllo di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni ad alta corrente in cui sono richieste basse perdite di conduzione e soglie di gate drive definite. Il dispositivo soddisfa gli standard ambientali e di resistenza automobilistici riconosciuti per l'uso in assemblaggi ingegnerizzati.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione per un aumento dell'efficienza
• L'elevata capacità di corrente continua supporta la commutazione per carichi pesanti
• La carica di gate tipica di 135 nC consente un comportamento di commutazione controllato
• La dissipazione di potenza di 125 W consente una gestione della potenza sostenuta
• L'ampio intervallo di temperatura d'esercizio consente una maggiore tolleranza ambientale

Applicazioni


• Adatto per moduli di distribuzione di potenza ad alta corrente nei veicoli
• Ideale per convertitori di potenza industriali termicamente impegnativi
• Utilizzato con circuiti gate-drive che richiedono la compatibilità a 5 V
• Può essere utilizzato per la commutazione di potenza a livello di scheda a montaggio superficiale
• Adatto per assemblaggi elettronici per uso automobilistico conformi alla direttiva RoHS

Quale intervallo di tensione gate‐drive è compatibile con questo dispositivo?


Accetta una tensione massima gate-source di 5 V, che si allinea ai comuni driver a livello logico.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti ad ampia temperatura.

Quale contenitore e metodo di montaggio sono forniti per l'assemblaggio?


Il componente viene fornito in un pacchetto TO‐252 configurato per il montaggio superficiale su schede elettroniche.

Quali approvazioni e standard ambientali soddisfa?


È conforme ai requisiti DIN IEC 68‐1 e RoHS e soddisfa la qualifica AEC‐Q101 per il settore automobilistico.

Quali sono i limiti elettrici che i progettisti devono rispettare per un funzionamento sicuro?


Il dispositivo è classificato per una tensione drain-source di -40 V, una corrente di drenaggio continua di -90 A e una carica di gate massima di 135 nC.

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