MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 4.2 mΩ Miglioramento, -90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2065,00 €

(IVA esclusa)

2520,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 7500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,826 €2.065,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-3870
Codice costruttore:
IPD90P04P4L04ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

135nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica e contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Canale P - Livello logico - Modalità di potenziamento

Certificazione AEC

Circuito di azionamento con interfaccia semplice

RDSon più basso al mondo a 40 V

Capacità di corrente più elevata

Link consigliati