MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 165-6872
Codice costruttore:: IPD042P03L3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 165-6872
Codice costruttore:: IPD042P03L3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	70A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	OptiMOS P
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	6.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	131nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	5.97mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.41mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 70A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package TO-252
	Serie OptiMOS P
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 131nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 5.97mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.41mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 70 A - IPD042P03L3GATMA1

Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale P in modalità di potenziamento progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui è richiesta una gestione di corrente elevata e un robusto intervallo di funzionamento termico. Funziona come un dispositivo di commutazione ad alte prestazioni nei circuiti di conversione di potenza e controllo del carico, fornendo una bassa perdita di conduzione e un comportamento controllato del gate-drive per i sistemi elettronici più esigenti.

Caratteristiche e vantaggi:

• RDS(on) di 6,8 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 70 A supporta la commutazione di carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 150 W consente una gestione termica sostenuta
• La carica di gate tipica di 131 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C consente l'implementazione ad alta temperatura
• Il valore nominale VGS ±20 V garantisce la flessibilità della tensione del gate drive

Applicazioni

• Adatto per il raddrizzamento sincrono nei convertitori DC-DC
• Ideale per la commutazione di carichi ad alta corrente negli alimentatori
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una bassa resistenza alla conduzione
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e i circuiti di protezione
• Adatto per moduli di potenza ad alta densità per montaggio superficiale

Quale tipo di contenitore devo prevedere per considerare il layout del circuito stampato?

Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-252 a montaggio superficiale con tre pin, che consente il posizionamento compatto della scheda e l'instradamento con tampone termico.

In che modo il dispositivo gestisce le tensioni dell'azionamento del gate durante il funzionamento?

La tensione massima gate-sorgente è di ±20 V, pertanto i driver gate devono essere specificati entro questo limite per evitare sovratensioni.

Qual è la tensione massima che questo transistor può bloccare?

È classificato per una tensione massima drain-source di 30 V, il che ne definisce l'idoneità per i sistemi di alimentazione a bassa tensione.

Esistono limitazioni alla tensione diretta durante la conduzione?

La tensione diretta tipica è di -1,1 V, il che influisce sui calcoli della perdita di conduzione nella progettazione dei circuiti.