MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 6.8 mΩ Miglioramento, -80 A, 3 Pin, PG-TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3863
Codice costruttore:
IPD80P03P4L07ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

PG-TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-0.31 V

Tensione diretta Vf

-1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Nessuna pompa di ricarica necessaria per l'azionamento a lato alto

Circuito di azionamento con interfaccia semplice

Capacità di corrente più elevata

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