MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 10.5 mΩ Miglioramento, -50 A, PG-TO-252, Superficie IPD50P03P4L11ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3842
Codice costruttore:
IPD50P03P4L11ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

PG-TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-0.31 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

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