MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 7.3 mΩ Miglioramento, -85 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3865
Codice costruttore:
IPD85P04P407ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Nessuna pompa di ricarica necessaria per l'azionamento a lato alto

Circuito di azionamento con interfaccia semplice

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