MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD85P04P4L06ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1835
Codice costruttore:
IPD85P04P4L06ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5 V

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.3mm

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza di livello logico a canale N Infineon è utilizzato per applicazioni automobilistiche. Ha le perdite di potenza di conduzione e commutazione più basse per la massima efficienza termica. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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