MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD85P04P4L06ATMA2
- Codice RS:
- 229-1835
- Codice costruttore:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-1835
- Codice costruttore:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 85A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 85A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza di livello logico a canale N Infineon è utilizzato per applicazioni automobilistiche. Ha le perdite di potenza di conduzione e commutazione più basse per la massima efficienza termica. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.
È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC
Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.
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