MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 7.3 mΩ Miglioramento, -85 A, TO-252, Superficie IPD85P04P407ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3867
Codice costruttore:
IPD85P04P407ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1

Standard automobilistico

AEC-Q101

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