MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 7.3 mΩ Miglioramento, -85 A, TO-252, Superficie IPD85P04P407ATMA2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

4,03 €

(IVA esclusa)

4,916 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4572 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 182,015 €4,03 €
20 - 481,81 €3,62 €
50 - 981,70 €3,40 €
100 - 1981,57 €3,14 €
200 +1,45 €2,90 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3867
Codice costruttore:
IPD85P04P407ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Nessuna pompa di ricarica necessaria per l'azionamento a lato alto

Circuito di azionamento con interfaccia semplice

Capacità di corrente più elevata

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.