MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 205 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
215-2600
Codice costruttore:
IRFR5410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

205mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

66W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. La confezione D è progettata per il montaggio superficiale utilizzando la tecnica di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Senza piombo

Classificazione completa a valanga

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