MOSFET Infineon, canale Tipo P -150 V, 580 mΩ, -13 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3985
Codice costruttore:
IRFR6215TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-150V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

580mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione diretta Vf

-1.6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è un HEXFET di quinta generazione di International Rectifier che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere la resistenza di accensione più bassa possibile per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il D-PAK è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a vapore, a infrarossi o a onda. La versione con cavo diritto è progettata per le applicazioni di montaggio a foro passante. I livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 watt sono possibili in applicazioni a montaggio superficiale.

Struttura della cella planare per un'ampia SOA

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

maggiore robustezza

Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualificazione standard industriale

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