MOSFET Infineon, canale P, 13 A, DPAK, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è un HEXFET di quinta generazione di International Rectifier che utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere la resistenza di accensione più bassa possibile per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il D-PAK è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a vapore, a infrarossi o a onda. La versione con cavo diritto è progettata per le applicazioni di montaggio a foro passante. I livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 watt sono possibili in applicazioni a montaggio superficiale.

Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
maggiore robustezza
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Livello di qualificazione standard industriale