MOSFET Infineon, canale Tipo N P, 13 A, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 260-5147
- Codice costruttore:
- IPD78CN10NGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
612,50 €
(IVA esclusa)
747,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,245 € | 612,50 € |
| 5000 + | 0,233 € | 582,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5147
- Codice costruttore:
- IPD78CN10NGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | P | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale P | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor MOSFET optiMOS a canale N Infineon fornisce un'eccellente carica del gate. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.
Canale N, livello normale
Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona
Link consigliati
- MOSFET Infineon 13 A Superficie IPD78CN10NGATMA1
- MOSFET Infineon 1.7 A, TO-252
- MOSFET Infineon 4.4 A, TO-252
- MOSFET Infineon 4.4 A, TO-252 IPD60R950C6ATMA1
- MOSFET Infineon 1.7 A, TO-252 IPD60R3K3C6ATMA1
- MOSFET Infineon 2.6 A Superficie
- MOSFET Infineon 2.6 A Superficie IPD50R3K0CEAUMA1
- MOSFET Infineon 580 mΩ TO-252, Superficie
