MOSFET Infineon, canale Tipo P N, 2.6 A, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

370,00 €

(IVA esclusa)

452,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 - 25000,148 €370,00 €
5000 - 50000,14 €350,00 €
7500 +0,132 €330,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-5135
Codice costruttore:
IPD50R3K0CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.6A

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS CE è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super junction (SJ) e pionieristica.

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare o azionare

Link consigliati