MOSFET Infineon, canale N P, 13 A, TO-252, Superficie IPD78CN10NGATMA1

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

8,38 €

(IVA esclusa)

10,22 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1060 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,838 €8,38 €
100 - 2400,795 €7,95 €
250 - 4900,765 €7,65 €
500 - 9900,727 €7,27 €
1000 +0,515 €5,15 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5148
Codice costruttore:
IPD78CN10NGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

P

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor MOSFET optiMOS a canale N Infineon fornisce un'eccellente carica del gate. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

Canale N, livello normale

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.