MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 205 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3138,00 €

(IVA esclusa)

3828,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,046 €3.138,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-1741
Codice costruttore:
AUIRFR5410TRL
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

AUIRF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

205mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Dissipazione di potenza massima Pd

66W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.22mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale p Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui l'alimentazione HEXFET è nota, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

È senza piombo

È conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati