MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 205 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
168-7941
Codice costruttore:
IRFR5410TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

205mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Tensione diretta Vf

-1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

66W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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