MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 205 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR5410TRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1742
Codice costruttore:
AUIRFR5410TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

AUIRF

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

205mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

66W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.73 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale p Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui l'alimentazione HEXFET è nota, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

È senza piombo

È conforme alla direttiva RoHS

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