MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 181.4 mΩ Miglioramento, 10.5 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R181M2HXTMA1

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Codice RS:
349-105
Codice costruttore:
IMBG120R181M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

IMB

Tipo di package

PG-TO263-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

181.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15mm

Larghezza

10.2 mm

Altezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET G2 SiC CoolSiC Infineon da 1200 V è un MOSFET al carburo di silicio ad alte prestazioni progettato per garantire un'efficienza superiore con perdite di commutazione molto basse. Con un tempo di resistenza al cortocircuito di 2 μs, il dispositivo offre una solida protezione contro le condizioni di guasto. La tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)), pari a 4,2 V, garantisce prestazioni di commutazione ottimali, rendendolo una scelta eccellente per le applicazioni di potenza esigenti che richiedono alta efficienza e affidabilità.

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