MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 181.4 mΩ Miglioramento, 10.5 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R181M2HXTMA1

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Codice RS:
349-105
Codice costruttore:
IMBG120R181M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

IMB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

181.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22, RoHS

Lunghezza

15mm

Altezza

4.5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
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