MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 21 mΩ Miglioramento, 189 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R008M2HXTMA1

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Codice RS:
349-092
Codice costruttore:
IMBG120R008M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

189A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

PG-TO263-7

Serie

IMB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

195nC

Dissipazione di potenza massima Pd

800W

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Lunghezza

15mm

Altezza

4.5mm

Larghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie IMB, tensione di sorgente di drenaggio 1200 V, corrente di drenaggio continua 189 A - IMBG120R008M2HXTMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per ambienti di commutazione di potenza impegnativi. È progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui è richiesta una gestione di corrente consistente e una tolleranza di temperatura elevata. Il componente soddisfa le convenzioni di imballaggio del settore riconosciute ed è adatto per l'uso in stadi di potenza industriali che richiedono robuste capacità di conduzione e commutazione.

Caratteristiche e vantaggi:


• La dissipazione di potenza di 800 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• Il valore nominale drain-source di 1200 V supporta topologie ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 189 A consente la conduzione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 21 mΩ garantisce basse perdite di conduzione sotto carico
• Carica gate tipica di 195 nC adatta alla commutazione ad alta energia
• Il pacchetto PG-TO263-7 a 7 pin semplifica il montaggio superficiale ad alta potenza

Applicazioni


• Adatto per inverter e convertitori industriali
• Ideale per alimentatori switching ad alta tensione
• Utilizzato con moduli di potenza per azionamento motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza a energia rinnovabile
• Adatto per circuiti di commutazione ad alta energia e a commutazione rapida

Quale gamma termica può operare in condizioni difficili?


Funziona da -55 °C a 200 °C, consentendo l'implementazione in ambienti termici estremi.

In che modo il tipo di contenitore influisce sull'assemblaggio sulle schede di produzione?


Il formato a montaggio superficiale PG-TO263-7 fornisce una soluzione compatta a basso profilo ottimizzata per la saldatura automatizzata e il fissaggio di dissipatori di calore.

Qual è la resistenza alla tensione di gate per le interfacce di controllo?


Il dispositivo consente tensioni di gate fino a 25 V, consentendo la compatibilità con le comuni uscite gate-driver.

Questo dispositivo è un tipo di potenziamento o esaurimento dei canali?


Si tratta di un transistor in modalità di potenziamento a canale N adatto per topologie di commutazione tradizionali azionate da gate.

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