MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 622 mΩ Miglioramento, 8.1 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R234M2HXTMA1
- Codice RS:
- 349-107
- Codice costruttore:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
9,69 €
(IVA esclusa)
11,82 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,845 € | 9,69 € |
| 20 - 198 | 4,365 € | 8,73 € |
| 200 - 998 | 4,02 € | 8,04 € |
| 1000 - 1998 | 3,735 € | 7,47 € |
| 2000 + | 3,335 € | 6,67 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-107
- Codice costruttore:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Serie | IMB | |
| Tipo di package | PG-TO263-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 622mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 80W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Larghezza | 10.2mm | |
| Lunghezza | 15mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Serie IMB | ||
Tipo di package PG-TO263-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 622mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.9nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 80W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Larghezza 10.2mm | ||
Lunghezza 15mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie IMB, tensione massima drain source di 1200 V, dissipazione di potenza massima di 80 W - IMBG120R234M2HXTMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Offre una conduzione controllata per le funzioni di commutazione e conversione, operando in un'ampia gamma di ambienti. Il componente è configurato in un contenitore PG-TO263-7 a sette pin per l'integrazione su schede di alimentazione ed è adatto nei casi in cui è richiesto un azionamento gate robusto e un'elevata tensione di blocco.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 1200 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8,1 A supporta una portata di potenza moderata
• La dissipazione di potenza 80 W consente un carico termico sostenuto
• La bassa Rds(on) di 622 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica gate di 7,9 nC consente transizioni di commutazione relativamente rapide
• La tolleranza del gate di 25 V garantisce la compatibilità con i comuni gate drive
• La corrente di drenaggio continua di 8,1 A supporta una portata di potenza moderata
• La dissipazione di potenza 80 W consente un carico termico sostenuto
• La bassa Rds(on) di 622 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica gate di 7,9 nC consente transizioni di commutazione relativamente rapide
• La tolleranza del gate di 25 V garantisce la compatibilità con i comuni gate drive
Applicazioni
• Utilizzato per convertitori CC-CC ad alta tensione in sistemi industriali
• Adatto per la commutazione di potenza in inverter a energia rinnovabile
• Ideale per i front-end dell'azionamento del motore con guide di tensione elevate
• Può essere utilizzato per alimentatori switching e regolatori
• Utilizzato con gestione termica per moduli di alimentazione compatti
• Adatto per la commutazione di potenza in inverter a energia rinnovabile
• Ideale per i front-end dell'azionamento del motore con guide di tensione elevate
• Può essere utilizzato per alimentatori switching e regolatori
• Utilizzato con gestione termica per moduli di alimentazione compatti
Quali estremi termici può sopportare questo dispositivo durante il funzionamento?
È classificato per funzionare tra -55 °C e 200 °C, consentendo l'uso in ambienti con temperature molto basse e condizioni di giunzione o ambientali eccezionalmente elevate se montato e raffreddato in modo appropriato.
In che modo la configurazione dei pin influisce sulla progettazione e sul montaggio del circuito stampato?
Il layout a sette pin PG-TO263-7 concentra i collegamenti di alimentazione e gate per un efficace trasferimento del calore alla scheda e semplifica l'instradamento delle tracce di drenaggio e sorgente per percorsi di corrente a bassa impedenza.
Quali standard e vincoli ambientali si riflettono nella sua produzione?
La produzione è conforme alle raccomandazioni di manipolazione JEDEC47/20/22 e il dispositivo soddisfa i requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni.
In che modo i progettisti devono considerare le prestazioni di commutazione nei circuiti ad alta frequenza?
Utilizzare la cifra di carica gate tipica di 7,9 nC per stimare l'energia dell'azionamento gate e selezionare i driver gate e le impostazioni del tempo morto per bilanciare le perdite di commutazione e il controllo delle emissioni elettromagnetiche.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 78.1 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R078M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 39.6 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R040M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 52.6 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R053M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 21.6 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R022M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 33 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R012M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 17.1 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R017M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 181.4 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R181M2HXTMA1
- MOSFET Infineon 307 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IMBG120R116M2HXTMA1