MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 52.6 mΩ Miglioramento, 29 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R053M2HXTMA1
- Codice RS:
- 349-102
- Codice costruttore:
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 349-102
- Codice costruttore:
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 52.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±25 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 205W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Larghezza | 10.2 mm | |
| Lunghezza | 15mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 52.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±25 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 205W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Larghezza 10.2 mm | ||
Lunghezza 15mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET G2 SiC CoolSiC Infineon da 1200 V è un MOSFET al carburo di silicio ad alte prestazioni progettato per garantire un'efficienza superiore con perdite di commutazione molto basse. Con un tempo di resistenza al cortocircuito di 2 μs, il dispositivo offre una solida protezione contro le condizioni di guasto. La tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)), pari a 4,2 V, garantisce prestazioni di commutazione ottimali, rendendolo una scelta eccellente per le applicazioni di potenza esigenti che richiedono alta efficienza e affidabilità.
Diodo intrinseco robusto per hard switching
La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria
Migliore efficienza energetica
Ottimizzazione del raffreddamento
Maggiore densità di potenza
Nuove caratteristiche di robustezza
Soluzione altamente affidabile
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