MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 68 mΩ Miglioramento, 53 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R026M2HXTMA1

Codice RS:: 349-098
Codice costruttore:: IMBG120R026M2HXTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 68 mΩ Miglioramento, 53 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R026M2HXTMA1

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Codice costruttore:: IMBG120R026M2HXTMA1
Costruttore:: Infineon

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	53A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1200V
	Tipo di package	PG-TO263-7
	Serie	IMB
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	68mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	60nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±25 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	335W
	Temperatura massima di funzionamento	200°C
	Altezza	4.5mm
	Larghezza	10.2 mm
	Standard/Approvazioni	JEDEC47/20/22, RoHS
	Lunghezza	15mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 53A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V
	Tipo di package PG-TO263-7
	Serie IMB
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 60nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±25 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 335W
	Temperatura massima di funzionamento 200°C
	Altezza 4.5mm
	Larghezza 10.2 mm
	Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22, RoHS
	Lunghezza 15mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IMBG120R026M2HXTMA1

Paese di origine:: MY

Il MOSFET G2 SiC CoolSiC Infineon da 1200 V è un MOSFET al carburo di silicio ad alte prestazioni progettato per garantire un'efficienza superiore con perdite di commutazione molto basse. Con un tempo di resistenza al cortocircuito di 2 μs, il dispositivo offre una solida protezione contro le condizioni di guasto. La tensione di soglia del gate di riferimento (VGS(th)), pari a 4,2 V, garantisce prestazioni di commutazione ottimali, rendendolo una scelta eccellente per le applicazioni di potenza esigenti che richiedono alta efficienza e affidabilità.

Diodo intrinseco robusto per hard switching

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

Migliore efficienza energetica

Ottimizzazione del raffreddamento

Maggiore densità di potenza

Nuove caratteristiche di robustezza

Soluzione altamente affidabile

MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 68 mΩ Miglioramento, 53 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Superficie IMBG120R026M2HXTMA1

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