MOSFET Infineon, canale N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 168-5910
Codice costruttore:: IPD60R1K0CEAUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 168-5910
Codice costruttore:: IPD60R1K0CEAUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	6.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	CoolMOS CE
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	61W
	Tensione diretta Vf	900mV
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	6.22mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	2.41mm
	Lunghezza	6.73mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 6.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-252
	Serie CoolMOS CE
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 61W
	Tensione diretta Vf 900mV
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 6.22mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 2.41mm
	Lunghezza 6.73mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corrente di drenaggio continua massima di 6,8 A, dissipazione di potenza massima di 61 W - IPD60R1K0CEAUMA1

Questo MOSFET ad alta tensione è progettato per migliorare le prestazioni in varie applicazioni di potenza. È adatto ai sistemi che richiedono robuste capacità di commutazione e serve settori come l'automazione e l'elettronica. La tecnologia CoolMOS impiega i principi della supergiunzione, garantendo efficienza e affidabilità in diverse condizioni operative.

Caratteristiche e vantaggi

• La riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione aumenta l'efficienza

• Il robusto corpo del diodo resiste alle commutazioni difficili per una maggiore affidabilità

• Le caratteristiche di bassa carica del gate semplificano i requisiti del driver durante il funzionamento

• La maggiore robustezza ESD favorisce la durata in ambienti difficili

• Adatto per applicazioni di commutazione hard e soft ottimizza le prestazioni

Applicazioni

• Utilizzato negli stadi di correzione del fattore di potenza per un'efficace gestione dell'energia

• Impiegato in stadi PWM a commutazione dura per una conversione e un controllo efficienti della potenza

• Si integra perfettamente negli stadi di commutazione risonanti di vari dispositivi

• Adatto a diversi settori, tra cui l'illuminazione, i server e le apparecchiature di telecomunicazione

In che modo il comportamento di commutazione influisce sull'efficienza energetica durante il funzionamento?

Il comportamento di commutazione è importante in quanto perdite di commutazione inferiori contribuiscono ad aumentare l'efficienza complessiva, portando a un funzionamento più freddo e a una minore generazione di calore, a vantaggio della longevità del sistema.

Quali misure di protezione sono consigliate durante l'installazione?

Per ridurre il ringing e garantire un funzionamento stabile durante la commutazione, è consigliabile utilizzare perline di ferrite sui gate o totem separati.

Può funzionare efficacemente in condizioni di temperatura estreme?

Il MOSFET è classificato per il funzionamento tra -40°C e +150°C, consentendo un funzionamento affidabile in varie condizioni ambientali.

Quali sono le considerazioni da fare quando si collegano in parallelo più dispositivi?

Per un parallelismo efficace, è necessario impiegare tecniche di pilotaggio del gate adeguate per ottenere una distribuzione equilibrata della corrente tra i dispositivi e ottimizzare le prestazioni.

Quali implicazioni hanno i valori massimi per la progettazione del sistema?

La comprensione dei valori nominali massimi, come i limiti di tensione e corrente di drenaggio continua, è fondamentale nella progettazione del sistema per evitare di superare tali soglie, garantendo prestazioni e affidabilità nelle applicazioni.