MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 380 mΩ Miglioramento, 10.6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
911-4993
Codice costruttore:
IPD60R380C6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C6

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

380mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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