MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 10.6 mΩ Miglioramento, -50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50P04P4L11ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3845
Codice costruttore:
IPD50P04P4L11ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Tensione diretta Vf

-1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

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