MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 10.6 mΩ Miglioramento, -50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50P04P4L11ATMA2
- Codice RS:
- 258-3845
- Codice costruttore:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3845
- Codice costruttore:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 58W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 58W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPD, tensione drain-source 40 V, dissipazione di potenza 58 W - IPD50P04P4L11ATMA2
Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale P progettato per la commutazione ad alta corrente in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per ambienti con temperature elevate, il che lo rende adatto ad applicazioni in cui la resistenza termica e l'imballaggio compatto sono importanti.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa Rds(on) di 10,6 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di -50 A supporta carichi ad alta corrente
• La carica gate di 45 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• Il valore massimo di Vgs di 5 V garantisce limiti di azionamento gate sicuri
• Il montaggio superficiale TO-252 consente layout compatti della scheda
• La corrente di drenaggio continua di -50 A supporta carichi ad alta corrente
• La carica gate di 45 nC consente un'energia di commutazione prevedibile
• Il valore massimo di Vgs di 5 V garantisce limiti di azionamento gate sicuri
• Il montaggio superficiale TO-252 consente layout compatti della scheda
Applicazioni
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per circuiti di commutazione di polarità ad alta corrente
• Utilizzato con gestione termica per sistemi a temperatura estesa
• Può essere utilizzato per il controllo dell'alimentazione CC nell'elettronica dei veicoli
• Ideale per circuiti di commutazione di polarità ad alta corrente
• Utilizzato con gestione termica per sistemi a temperatura estesa
• Può essere utilizzato per il controllo dell'alimentazione CC nell'elettronica dei veicoli
A quali temperature estreme può resistere?
È progettato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C.
Quale tipo di imballaggio e montaggio utilizza?
È fornito in un contenitore TO-252 progettato per il montaggio superficiale.
Come si comporta il dispositivo in condizioni di potenza elevata?
Consente una dissipazione fino a 58 W, consentendo una gestione della potenza sostenuta con un'adeguata gestione termica.
Esistono limiti per la tensione drain-source e l'azionamento del gate?
Il dispositivo specifica una tensione massima drain-source di -40 V e una tensione massima gate-source di 5 V.
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