MOSFET Infineon, canale N 550 V, 380 mΩ Miglioramento, 14.1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50R380CEAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0897
Codice costruttore:
IPD50R380CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

14.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

550V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

380mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

850mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

98W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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