MOSFET Infineon, canale Tipo N 550 V, 380 mΩ Miglioramento, 14.1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1072,50 €

(IVA esclusa)

1307,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 - 25000,429 €1.072,50 €
5000 +0,407 €1.017,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-5909
Codice costruttore:
IPD50R380CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

380mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.85V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

98W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati