MOSFET Infineon, 31 A, PG-TO 252-3, Montaggio superficiale

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS PFD7 da 600 V integra l'offerta CoolMOS 7 per le applicazioni di consumo. Il MOSFET a super giunzione CoolMOS PFD7 in un contenitore TO 252 DPAK è dotato di RDS(on) di 280 mOhm che si traduce in basse perdite di commutazione. I prodotti vengono forniti con un diodo a corpo rapido integrato che garantisce un dispositivo robusto. Il diodo rapido del corpo e il contenitore SMD leader del settore riducono lo spazio sul circuito stampato e, a sua volta, la fattura di materiale del cliente. Questa famiglia di prodotti è progettata su misura per una densità di potenza estremamente elevata e per la massima efficienza. I prodotti si rivolgono principalmente a caricabatterie ad altissima densità, adattatori e azionamenti per motori a bassa potenza. Il modello CoolMOS PFD7 da 600 V offre una migliore efficienza a pieno carico e leggera rispetto alle tecnologie CoolMOS P7 e MOSFET CE che si traduce in un aumento della densità di potenza di 1,8 W/pollice3.

Eccellente robustezza di commutazione
Bassa EMI
Ampio portafoglio di contenitori
Riduzione dei costi BOM e facile fabbricazione
Robustezza e affidabilità
Facile da selezionare le parti giuste per la messa a punto del design