MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 31 Ω Miglioramento, 31 A, TO-252, Superficie IRFR3410TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3106
Codice Distrelec:
304-39-421
Codice costruttore:
IRFR3410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.39 mm

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Conformità RoHS

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

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