MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 31 Ω Miglioramento, 31 A, TO-252, Superficie IRFR3410TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3106
Codice costruttore:
IRFR3410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.39 mm

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

304-39-421

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Conformità RoHS

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

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