MOSFET Infineon, canale N 100 V, 31 Ω Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR3410TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3106
Codice Distrelec:
304-39-421
Codice costruttore:
IRFR3410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39mm

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Conformità RoHS

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

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