MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 31 Ω Miglioramento, 31 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
218-3105
Codice costruttore:
IRFR3410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

2.39 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza.

Conformità RoHS

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

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