MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 280 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
222-4670
Codice costruttore:
IPD60R280CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

51W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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