MOSFET Infineon, canale N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 218-3050
Codice costruttore:: IPD60R280P7SAUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1112,50 €

(IVA esclusa)

1357,50 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 08 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	0,445 €	1.112,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 218-3050
Codice costruttore:: IPD60R280P7SAUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	600V CoolMOS P7
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	280mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	53W
	Tensione diretta Vf	900mV
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	18nC
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.41mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	6.22mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie 600V CoolMOS P7
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 53W
	Tensione diretta Vf 900mV
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.41mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 6.22mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD60R280P7SAUMA1

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 600 V, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 12 A - IPD60R280P7SAUMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richieste una robusta gestione della tensione e temperature d'esercizio elevate. Funziona come un transistor in modalità di potenziamento adatto per attività di commutazione e conversione di potenza, offrendo conduzione controllata a gate e supporto per correnti di drenaggio continue tipiche degli ambienti industriali e dell'elettronica di potenza.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione massima drain-source di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 12 A supporta correnti di carico significative
• L'RDS(on) massimo di 280 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 53 W mantiene il margine termico durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 18 nC a VGS consente transizioni di commutazione rapide
• L'intervallo di funzionamento da -40 °C a 150 °C consente l'implementazione ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono dispositivi con tensione nominale di 600 V
• Può essere utilizzato per moduli di commutazione di potenza industriali
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per un funzionamento sicuro?

Il dispositivo non deve superare una tensione gate-sorgente di 20 V per evitare sovratensioni del gate.

In che modo il formato del contenitore influisce sul montaggio e sul percorso termico?

Il contenitore a montaggio superficiale TO-252 fornisce un ingombro compatto e un percorso termico diretto attraverso la linguetta per le disposizioni di dissipazione del calore del circuito stampato.

Che tipo di modalità di conduzione utilizza e cosa significa?

Funziona in modalità di potenziamento come un dispositivo a canale N, pertanto richiede un azionamento gate positivo rispetto alla sorgente per l'accensione.

Qual è il comportamento tipico della carica di gate rilevante per la progettazione dell'azionamento?

La carica gate tipica di 18 nC a VGS indica che il driver gate deve fornire tale carica per ogni evento di commutazione, influenzando le dimensioni del driver e le perdite di commutazione.