MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
218-3050
Codice costruttore:
IPD60R280P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon CoolMOS™ P7 600V. Ha perdite di conduzione e commutazione estremamente basse che rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, compatte e molto più fredde.

Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione

Adatto per la commutazione dura e morbida

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