MOSFET Infineon, canale N 650 V, 280 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R280P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4673
Codice costruttore:
IPD60R280P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Tensione diretta Vf

900mV

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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