MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R280P7SAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3051
Codice costruttore:
IPD60R280P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon CoolMOS™ P7 600V. Ha perdite di conduzione e commutazione estremamente basse che rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, compatte e molto più fredde.

Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione

Adatto per la commutazione dura e morbida

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