MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 600 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 217-2529
- Codice costruttore:
- IPD60R600P7SAUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,267 € | 667,50 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2529
- Codice costruttore:
- IPD60R600P7SAUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IPD | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 41W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IPD | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 41W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.41mm | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon P7 CoolMOS™ 600V supergiunzione (SJ) è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6 Infineon. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.
600V P7 consente un'eccellente resistenza FOM R DS(on)XE oss DS(on)XQ GESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)
Resistore gate integrato R G
Diodo dal corpo robusto
Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale
Sono disponibili parti di grado standard e industriale
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