MOSFET Infineon, canale N 500 V, 650 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50R650CEAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9041
Codice costruttore:
IPD50R650CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

650mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

47W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

840mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. CoolMOS CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le applicazioni sensibili ai costi nei mercati dei prodotti di consumo e dell'illuminazione pur rispettando i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo-prestazioni disponibile sul mercato.

Facile da usare/guidare

Robustezza di commutazione molto elevata

Adatto per applicazioni di livello standard

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