MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 1 Ω Miglioramento, 6.8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R1K0CEAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0898
Codice costruttore:
IPD60R1K0CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

61W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corrente di drenaggio continua massima di 6,8 A, dissipazione di potenza massima di 61 W - IPD60R1K0CEAUMA1


Questo MOSFET ad alta tensione è progettato per migliorare le prestazioni in varie applicazioni di potenza. È adatto ai sistemi che richiedono robuste capacità di commutazione e serve settori come l'automazione e l'elettronica. La tecnologia CoolMOS impiega i principi della supergiunzione, garantendo efficienza e affidabilità in diverse condizioni operative.

Caratteristiche e vantaggi


• La riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione aumenta l'efficienza

• Il robusto corpo del diodo resiste alle commutazioni difficili per una maggiore affidabilità

• Le caratteristiche di bassa carica del gate semplificano i requisiti del driver durante il funzionamento

• La maggiore robustezza ESD favorisce la durata in ambienti difficili

• Adatto per applicazioni di commutazione hard e soft ottimizza le prestazioni

Applicazioni


• Utilizzato negli stadi di correzione del fattore di potenza per un'efficace gestione dell'energia

• Impiegato in stadi PWM a commutazione dura per una conversione e un controllo efficienti della potenza

• Si integra perfettamente negli stadi di commutazione risonanti di vari dispositivi

• Adatto a diversi settori, tra cui l'illuminazione, i server e le apparecchiature di telecomunicazione

In che modo il comportamento di commutazione influisce sull'efficienza energetica durante il funzionamento?


Il comportamento di commutazione è importante in quanto perdite di commutazione inferiori contribuiscono ad aumentare l'efficienza complessiva, portando a un funzionamento più freddo e a una minore generazione di calore, a vantaggio della longevità del sistema.

Quali misure di protezione sono consigliate durante l'installazione?


Per ridurre il ringing e garantire un funzionamento stabile durante la commutazione, è consigliabile utilizzare perline di ferrite sui gate o totem separati.

Può funzionare efficacemente in condizioni di temperatura estreme?


Il MOSFET è classificato per il funzionamento tra -40°C e +150°C, consentendo un funzionamento affidabile in varie condizioni ambientali.

Quali sono le considerazioni da fare quando si collegano in parallelo più dispositivi?


Per un parallelismo efficace, è necessario impiegare tecniche di pilotaggio del gate adeguate per ottenere una distribuzione equilibrata della corrente tra i dispositivi e ottimizzare le prestazioni.

Quali implicazioni hanno i valori massimi per la progettazione del sistema?


La comprensione dei valori nominali massimi, come i limiti di tensione e corrente di drenaggio continua, è fondamentale nella progettazione del sistema per evitare di superare tali soglie, garantendo prestazioni e affidabilità nelle applicazioni.

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